半導(dǎo)體材料迭代與騰盛切割探索方向
發(fā)布時(shí)間:2022-08-09 08:41:37 瀏覽:68次 責(zé)任編輯:騰盛精密
隨著電子產(chǎn)品向小型化趨勢(shì)發(fā)展,對(duì)芯片性能和體積的要求越來(lái)越高。在半導(dǎo)體發(fā)展過(guò)程中,新興材料出現(xiàn),芯片表面的薄化及平坦化處理在整個(gè)芯片加工過(guò)程中顯得愈發(fā)重要。高精度的切割、研磨工藝對(duì)有效控制產(chǎn)品破損率、提高芯片良率有著極大幫助。新興材料的出現(xiàn)會(huì)帶來(lái)了哪些機(jī)遇? 半導(dǎo)體切割工藝在未來(lái)會(huì)有怎樣的發(fā)展趨勢(shì)?
一、半導(dǎo)體材料概述
半導(dǎo)體材料作為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈上游的重要環(huán)節(jié),在芯片的生產(chǎn)制造過(guò)程中起到關(guān)鍵性作用。根據(jù)芯片制造過(guò)程劃分,半導(dǎo)體材料主要分為基體材料、制造材料和封裝材料。
?基本材料:硅晶圓片、化合物半導(dǎo)體
?制造材料:電子特氣、濺射靶材、光刻膠、拋光材料、掩膜版、濕電子化學(xué)品
?封裝材料:芯片粘結(jié)材料、鍵合絲、陶瓷封裝材料、引線框架、封裝基板、切割材料
化合物半導(dǎo)體材料的演進(jìn)情況
第一代半導(dǎo)體材料是以硅(Si)、鍺(Ge)為主,第二代半導(dǎo)體材料是以砷化鎵(GaAs)、銻化銦(lnSb)為主。以碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)、氧化鋅(ZnO)、金剛石、氮化鋁(AIN)為代表的寬禁帶半導(dǎo)體材料,被稱為第三代半導(dǎo)體材料,目前發(fā)展較為成熟的是碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)。
與傳統(tǒng)材料相比,第三代半導(dǎo)體材料更適合制造耐高溫、耐高壓、耐大電流的高頻大功率器件。近些年,SiC和GaN市場(chǎng)火熱,關(guān)注度極高。憑借先天優(yōu)勢(shì),SiC和GaN確實(shí)有良好的發(fā)展前景,特別是在高功率應(yīng)用方面,會(huì)是將來(lái)的主流。不過(guò),就整個(gè)化合物半導(dǎo)體應(yīng)用市場(chǎng)而言,無(wú)論是當(dāng)下,還是可預(yù)見(jiàn)的未來(lái),以GaAs為代表的第二代化合物半導(dǎo)體仍是市場(chǎng)的主導(dǎo)力量。因?yàn)榕c硅相比,GaAs最大的優(yōu)勢(shì)在于工作溫度高(最高可以到攝氏350度左右)、耐熱、抗輻射、發(fā)光效率也很高,基于這樣的特性,GaAs主要用于三個(gè)領(lǐng)域:射頻(RF),約占47%,發(fā)光二極管(LED ),約占42%、激光二極管(LD),約占10%。5G時(shí)代,GaAs仍將主導(dǎo)智能手機(jī)PA(射頻功率放大器)市場(chǎng)。
總之,從當(dāng)下和未來(lái)化合物半導(dǎo)體市場(chǎng)總量來(lái)看,GaAs和InP依然占據(jù)絕大部分,而SiC和GaN則會(huì)在高功率應(yīng)用領(lǐng)域逐步擴(kuò)大占有率。
新的第三代半導(dǎo)體材料行業(yè)是我國(guó)重點(diǎn)鼓勵(lì)發(fā)展的產(chǎn)業(yè),是支撐經(jīng)濟(jì)社會(huì)發(fā)展和保障國(guó)家安全的戰(zhàn)略性和基礎(chǔ)性產(chǎn)業(yè)。為加快推進(jìn)第三代半導(dǎo)體材料行業(yè)的發(fā)展,國(guó)家層面先后印發(fā)《重點(diǎn)新材料首批次應(yīng)用示范指導(dǎo)目錄(2019版)》、《國(guó)務(wù)院關(guān)于印發(fā)進(jìn)一步鼓勵(lì)軟件產(chǎn)業(yè)和集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展若干政策的通知》等鼓勵(lì)性、支持性政策;而地方層面也積極響應(yīng),通過(guò)政策將實(shí)質(zhì)性的人、
財(cái)、物資源注入,推動(dòng)著各地半導(dǎo)體材料產(chǎn)業(yè)的集聚和發(fā)展。
半導(dǎo)體材料細(xì)分形成三大梯隊(duì)
政策扶持、市場(chǎng)需求、資本進(jìn)入、技術(shù)迭代是中國(guó)半導(dǎo)體材料產(chǎn)業(yè)快速發(fā)展、市場(chǎng)規(guī)模持續(xù)擴(kuò)大的主要推力。目前,中國(guó)半導(dǎo)體材料對(duì)于進(jìn)口產(chǎn)品的依賴程度仍然較高,而且根據(jù)細(xì)分產(chǎn)品競(jìng)爭(zhēng)力和國(guó)產(chǎn)化進(jìn)度,由強(qiáng)到弱可以將中國(guó)半導(dǎo)體材料產(chǎn)業(yè)分為三大梯隊(duì)。不同材料產(chǎn)業(yè)進(jìn)入壁壘、中國(guó)企業(yè)進(jìn)入時(shí)間階段和參差不齊的技術(shù)積累是使得半導(dǎo)體材料形成三大梯隊(duì)的主要原因。
當(dāng)前半導(dǎo)體材料國(guó)產(chǎn)化進(jìn)度參差不齊∶其中拋光材料、濺射靶材、引線框架等已經(jīng)達(dá)到世界一流水平;電子特種氣體、掩膜板等材料產(chǎn)品已進(jìn)入量產(chǎn),技術(shù)上已向世界領(lǐng)先水平看齊;光刻膠等材料仍處于向領(lǐng)先技術(shù)學(xué)習(xí)的階段,雖已實(shí)現(xiàn)階段性的技術(shù)突破,但還未能實(shí)現(xiàn)大規(guī)模量產(chǎn),量產(chǎn)是下一步發(fā)展目標(biāo)。
縱觀整個(gè)半導(dǎo)體材料領(lǐng)域,由于其技術(shù)壁壘高、生產(chǎn)難度大、驗(yàn)證周期長(zhǎng)等特點(diǎn),導(dǎo)致大部分半導(dǎo)體材料都處于寡頭壟斷的局面,核心技術(shù)長(zhǎng)期掌握在歐美、日本、德國(guó)、韓國(guó)等國(guó)家手中。
其中,日本就供應(yīng)了全球超50%的半導(dǎo)體材料,例如全球超70%的光刻膠均由日本生產(chǎn),由JSR、東京應(yīng)化、信越化學(xué)、富士電子4家企業(yè)瓜分。而在半導(dǎo)體制造過(guò)程所需的19種核心材料中,日本就占到了14種,處于絕對(duì)領(lǐng)先地位。此外在硅片市場(chǎng),2018年全球近90%的市場(chǎng)都被日本、中國(guó) 、德國(guó)、韓國(guó)占據(jù),市場(chǎng)集中度非常高。
相比之下,我國(guó)本土半導(dǎo)體材料行業(yè)起步晚、發(fā)展慢,加之本土市場(chǎng)長(zhǎng)期被國(guó)外巨頭牢牢占據(jù),導(dǎo)致本土企業(yè)呈現(xiàn)“小而散”的格局。不過(guò),隨著國(guó)產(chǎn)替代浪潮的推動(dòng),如今越來(lái)越多的本土企業(yè)開(kāi)始切入半導(dǎo)體材料領(lǐng)域,大大推動(dòng)了國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體行業(yè)技術(shù)自主性的發(fā)展。
二、緊跟材料更迭步伐,深耕工藝
隨著化合物半導(dǎo)體的多樣化發(fā)展,材料有很多新的變化,對(duì)切割時(shí)使用的工具和切割過(guò)程的控制而言都是新的挑戰(zhàn)。
切割、劃片其實(shí)是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中的一個(gè)細(xì)枝分節(jié)點(diǎn),但我們遇到的半導(dǎo)體材料幾乎都需要切割,不管是用激光切割、刀片切割,還是用裂片的方式,總要經(jīng)過(guò)這一道工序。 比如,以前 PCB,Wafer的切割可能只需要一把硬刀或一把軟刀就能應(yīng)對(duì)。但現(xiàn)在越來(lái)越多的Wafer會(huì)加入玻璃、銅等材料,還有WLCSP封裝,molding之后的封裝,和以前相比,現(xiàn)在的材料對(duì)切割和研磨的要求十分高。挑戰(zhàn)很大,但也潛藏著新的機(jī)遇。 在材料的發(fā)展過(guò)程中,如果廠家的工藝、技術(shù)迭代跟不上,就會(huì)丟失大量的客戶,一部分跟不上新材料更迭的廠家會(huì)被淘汰。
Tensun騰盛高精密半導(dǎo)體切割系統(tǒng)經(jīng)韓國(guó)專家團(tuán)隊(duì)精心研制多年,且經(jīng)過(guò)行業(yè)知名客戶驗(yàn)證與日本同行對(duì)比性能、功能完全可與之媲美的高精密半導(dǎo)體刀片式切割系統(tǒng),可應(yīng)用于半導(dǎo)體晶片、LED晶片 & EMC導(dǎo)線架、 PCB、 IR/濾光片、藍(lán)寶石玻璃、 陶瓷薄板等材料的精密切割。目前,騰盛精密也已成為行業(yè)內(nèi)第一家推出無(wú)膜切割兼容貼膜切割的廠商。
在Wafer Saw切割工藝領(lǐng)域中,考慮到間距發(fā)展越來(lái)越小,未來(lái)可能會(huì)向玻璃基或其他材料更加穩(wěn)定的方向發(fā)展,因此,騰盛精密的設(shè)備集中在切邊方面,保證芯片到下一個(gè)基板之間拼接的間隙。以全自動(dòng)切割系統(tǒng)ADS2100為例,該機(jī)臺(tái)采用創(chuàng)新布局方案,每個(gè)料盒可以存放20-25層料片,自動(dòng)上料、位置校準(zhǔn)、切割、清洗/干燥、下料均可由本系統(tǒng)自動(dòng)完成,切割性能以150微米厚度bumping晶圓為例,正面崩邊低于5微米,背面崩邊低于7微米,側(cè)面深度符合預(yù)設(shè)值標(biāo)準(zhǔn),切割道偏移量低于2微米,可以滿足8~12寸材料的高精密切割加工,該機(jī)臺(tái)還可雙主軸同時(shí)切割,比單主軸切割產(chǎn)能提高85%以上,高低倍雙定位識(shí)別影像系統(tǒng) ,適用多材料加工,并實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)系統(tǒng)的氣壓、水壓、電流等數(shù)值,避免主軸損傷。
8-12寸雙軸精密全自動(dòng)劃片機(jī)ADS2100
同時(shí)在基板劃片領(lǐng)域,騰盛精密研發(fā)出中國(guó)第一臺(tái)雙工位自動(dòng)切割&分選一體機(jī),也實(shí)現(xiàn)了兩大工序合一,可大大提升封測(cè)廠商生產(chǎn)效率。
未來(lái),中國(guó)半導(dǎo)體材料行業(yè)挑戰(zhàn)與機(jī)遇并存。人們對(duì)于新材料的應(yīng)用有著巨大的憧憬,隨著工藝技術(shù)的成熟,在未來(lái),我們也期待更多新材料能夠廣泛用于人們的生活,更多讓人新奇、驚喜的新興應(yīng)用走進(jìn)我們生活。TENSUN騰盛精密也將繼續(xù)深耕技術(shù)工藝,打造符合時(shí)代進(jìn)步的半導(dǎo)體切割系統(tǒng),助力推動(dòng)國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展,和廣大半導(dǎo)體相關(guān)企業(yè)共同建設(shè)穩(wěn)定的半導(dǎo)體行業(yè)產(chǎn)業(yè)鏈,維持中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)的可持續(xù)發(fā)展。
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聲明:本文部分內(nèi)容參考出處有:
1.「中國(guó)半導(dǎo)體制造及封裝材料行業(yè)報(bào)告」,來(lái)源:億歐智庫(kù)
2.「化合物半導(dǎo)體制造格局生變」,作者:暢秋
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