新一輪科技革命是以物聯(lián)網(wǎng)、大數(shù)據(jù)、人工智能、區(qū)塊鏈等數(shù)字技術(shù)為主導(dǎo)。但代價是什么呢？是巨大的功耗，“開一個超算中心能‘吃掉’半個核電站的電能”。

全球能源的消耗導(dǎo)致二氧化碳的排放量與日俱增，造成了全球氣候變暖等一系列變化，碳排放成為世界各國關(guān)注的焦點，我國也開始關(guān)注碳排放帶來的不利影響，并逐漸將低碳與節(jié)能減排、環(huán)境保護(hù)結(jié)合起來。

為了人類可持續(xù)發(fā)展和推動構(gòu)建人類命運共同體的大國責(zé)任擔(dān)當(dāng)，我國的政策重點也開始將“減碳”提升到了新的戰(zhàn)略高度，在十四五規(guī)劃正式提出“2030年前實現(xiàn)碳達(dá)峰、2060年前實現(xiàn)碳中和”這個重大戰(zhàn)略目標(biāo)。

降低能耗才能減少碳排放。在低碳節(jié)能的時代，以能源綠色低碳發(fā)展為關(guān)鍵。風(fēng)口之下，新能源科技迎來了更多的發(fā)展機(jī)會。半導(dǎo)體技術(shù)作為現(xiàn)代科技的底層基礎(chǔ)與核心，所發(fā)揮的作用也不可忽視。

“雙碳”目標(biāo)對我國綠色低碳發(fā)展具有引領(lǐng)性、系統(tǒng)性，可以帶來環(huán)境質(zhì)量改善和產(chǎn)業(yè)發(fā)展的多重效應(yīng)。

隨著碳中和的推進(jìn)，新能源產(chǎn)業(yè)和半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)開始更多交匯點，采用性能上更優(yōu)異的第三代半導(dǎo)體材料，可以提升能源轉(zhuǎn)換效率，有望成為綠色經(jīng)濟(jì)的中流砥柱。

那么第三代半導(dǎo)體材料，它在能源轉(zhuǎn)換里到底和以前第一代半導(dǎo)體有什么不同？第一代半導(dǎo)體就是現(xiàn)在常用的硅基材料，第三代半導(dǎo)體代表性的材料就是碳化硅和氮化鎵。硅基半導(dǎo)體有它自己的物理極限，大概是0.4Ω·m㎡，這是一個芯片面積和歐姆的乘積。目前，從架構(gòu)上，從可靠性方面，從性能的提升，硅基半導(dǎo)體基本上已經(jīng)接近了物理極限，而第三代半導(dǎo)體是能夠在有限提升的基礎(chǔ)上，再往前跨一步。

舉個例子來說，比如現(xiàn)在手機(jī)用的快充，功率有的已經(jīng)做到一百瓦以上。但如果要用以前的材料來做充電器，就會做得很大?，F(xiàn)在用氮化鎵材料來做，就可以把體積做得小。它需要一些什么特性呢？就是它的開關(guān)頻率可以非常高，這就是新材料在能源轉(zhuǎn)換里面的優(yōu)點。還有一個重點就是，第三代半導(dǎo)體材料由于其禁帶寬度遠(yuǎn)遠(yuǎn)高于硅，導(dǎo)致它做出來的器件的寄生參數(shù)特別小，因此就能夠帶來上述那些好處。

△硅、氮化鎵和碳化硅的詳細(xì)比較 | 英凌飛

如此來看，在“碳中和”趨勢浪潮下，以氮化鎵(GaN)、碳化硅(SiC)為代表的第三代半導(dǎo)體具備耐高溫、耐高壓、高頻率、大功率等優(yōu)勢，相比硅器件可降低50%以上的能量損失，并減小75%以上的裝備體積，是助力社會節(jié)能減排并實現(xiàn)“碳中和”目標(biāo)的重要發(fā)展方向。

第三代半導(dǎo)體正在成為市場焦點，多個下游產(chǎn)業(yè)集中爆發(fā)，40-50%的應(yīng)用市場將在中國，下游的爆發(fā)導(dǎo)致上游晶圓供不應(yīng)求；性能提升，成本下降即將形成產(chǎn)業(yè)化，產(chǎn)品進(jìn)入高速導(dǎo)入期。

全球來看，第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)處在一個高速增長的階段，在市場的關(guān)注熱潮之下，第三代半導(dǎo)體公司正處在抓住機(jī)會資本化的發(fā)展階段。我國在“十四五”規(guī)劃中，計劃在2021-2025年期間，在教育、科研、開發(fā)、融資、應(yīng)用等各個方面，大力支持發(fā)展第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，以期實現(xiàn)產(chǎn)業(yè)獨立自主。不僅如此，地方層面也在積極響應(yīng)第三代半導(dǎo)體的發(fā)展號召，重點發(fā)展第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，解決半導(dǎo)體行業(yè)“卡脖子”問題，自主可控需求明確?，F(xiàn)階段國產(chǎn)替代空間巨大，尚未形成行業(yè)寡頭。

具體來說，盡快實現(xiàn)高性能6英寸、8英寸碳化硅單晶襯底和外延材料及其功率器件的量產(chǎn)，6英寸、8英寸硅基氮化鎵外延材料及其功率器件的量產(chǎn)，高性能封裝的器件和模塊量產(chǎn)，單晶襯底生長、加工、芯片工藝、封裝、測試等核心檢測儀器和裝備的國產(chǎn)化。

從芯片設(shè)計制造到封裝測試以及應(yīng)用等各環(huán)節(jié)實現(xiàn)全壽命周期的低碳甚至零碳戰(zhàn)略，自主可控是第三代寬禁帶功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)健康發(fā)展的基石，也是全產(chǎn)業(yè)鏈落實雙碳戰(zhàn)略目標(biāo)的保障。

第三代半導(dǎo)體行業(yè)的高速發(fā)展對高質(zhì)量封裝工藝設(shè)備產(chǎn)品提出相應(yīng)的市場需求。騰盛精密憑借突出的技術(shù)創(chuàng)新優(yōu)勢，搶抓市場機(jī)遇，提供的點膠設(shè)備、劃片機(jī)（切割）以及不同行業(yè)領(lǐng)域的封裝解決方案受到市場和客戶的肯定，部分產(chǎn)品已實現(xiàn)進(jìn)口替代。未來將在更大的范圍內(nèi)進(jìn)行量產(chǎn)和擴(kuò)產(chǎn)，進(jìn)一步推動我國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)實現(xiàn)國產(chǎn)化、量產(chǎn)化、產(chǎn)業(yè)化，達(dá)到經(jīng)濟(jì)效益、社會效益和環(huán)保效益的有機(jī)統(tǒng)一。

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聲明：本文部分內(nèi)容參考出處有：

1.「揭秘第三代半導(dǎo)體：市場規(guī)模百億，三大領(lǐng)域加速爆發(fā)！」，來源：OFweek維科號  作者：天風(fēng)研究

2.「第三代半導(dǎo)體推動“雙碳”目標(biāo)實現(xiàn)大有可為」，來源：科技日報

3.「智庫視點｜中國提出“雙碳”目標(biāo)的歷史背景、重大意義和變革路徑」來源：新經(jīng)濟(jì)導(dǎo)刊 ，作者：高世楫 俞敏

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Tensun騰盛精密創(chuàng)立于2006年7月，一直專注于

精密點膠與精密切割（劃片）兩大產(chǎn)品線，

深耕于3C手機(jī)產(chǎn)業(yè)鏈、新型顯示及半導(dǎo)體封測三大行業(yè)。

Tensun騰盛自成立之初便十分注重核心技術(shù)的研發(fā)投入，

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