先進制程和傳統成熟制程實際并沒有明確的界定標準，這是隨著制程工藝發展不斷變化的過程。但從制程工藝的發展情況來看，一般是以28nm為分水嶺，來區分先進制程和傳統制程。

▲圖源：IT之家

半導體工藝發展則出現了兩個方向，一個是繼續追求先進制程小型化，比如臺積電、三星、英特爾、中芯國際，另一個是聚焦特色工藝滿足多樣化需求，比如華虹半導體、聯電、格羅方德、世界先進等。

當下的半導體先進制程領域中，三星、英特爾、臺積電三足鼎立，各有千秋。

三星和臺積電分別從14nm和16nm制程節點時期引入FinFET（鰭式場效應晶體管）技術，一直沿用到目前最先進的5nm制程。在競爭激烈的3納米制程工藝方面，三星和臺積電的技術路線并不相同，三星首先采用全環繞柵極晶體管（GAA），臺積電則是繼續采用鰭式場效應晶體管（FinFET）架構。

英特爾的應變硅技術、HKMG技術以及3D FinFET技術，對于全球半導體行業來說都具有著里程碑似的意義。但是從14nm FinFET工藝開始就開始逐漸減速，尤其是在10nm制程工藝期間，耽誤了太長時間。

而國產企業中芯國際在2019年突破了14nm的技術，仍將在未來先進制程中角逐。

在先進制程的布局方面，還需要其他技術支持和設備支持。因為隨著頻率的提升,處理器所產生的熱量也會提高,先進的蝕刻技術可以減小晶體管間電阻,讓CPU所需的電壓降低,從而使功率大幅度減小。而蝕刻工藝——極紫外光刻(EUV),用更小更鋒利的“刻刀”來切割出更小的電晶體結構。

關鍵設備在先進制程上仍未實現突破。目前世界集成電路設備研發水平處于12 英寸7nm，生產水平則已經達到12 英寸14nm；而中國設備研發水平還處于12 英寸14nm，生產水平為12 英寸65-28nm，總的來看國產設備在先進制程上與國內先進水平有2-6 年時間差；具體來看65/55/40/28nm光刻機、40/28nm 的化學機械拋光機國產化率依然為0，28nm化學氣相沉積設備、快速退火設備、國產化率很低。

以光刻機為例，ASML是全球唯一有能力制造EUV光刻機的廠商，而面向3nm及更先進的工藝，晶圓廠將需要一種稱為高數值孔徑（high-NA）EUV的新技術，據ASML年報披露，正在研發的下一代采用high-NA技術光刻機要等到2024年才能量產。我國最先進的光刻機是上海微電子裝備的光刻機，最高可制造90納米工藝的芯片。我國尚未有具備28納米制程能力的光刻機，主要在于精密光學器件的落后，目前，長春光機所，茂萊光學都在光源領域進行技術研發及探索。一旦光刻機被美國封禁，國內的芯片制造公司將失去14納米、28納米等工藝制備能力。

▲ 半導體設備公司掌握先進制程情況  來源：道科創

隨著先進節點走向10nm、7nm、5nm，研發生產成本持續走高，良率下降，摩爾定律趨緩，半導體行業逐漸步入后摩爾時代。目前封測行業正在經歷從傳統封裝（SOT、QFN、BGA等）向先進封裝（FC、FIWLP、FOWLP、TSV、SiP、3D堆疊等）的轉型。

▲圖源：拓璞產業研究院

先進封裝與傳統封裝以是否焊線來區分，先進封裝主要有倒裝芯片(FC)結構的封裝、晶圓級封裝(WLP)、2.5D封裝、3D封裝等。分為兩個方向——

小型化：3D封裝突破傳統的平面封裝的概念，通過單個封裝體內多次堆疊，實現了存儲容量的倍增，進而提高芯片面積與封裝面積的比值。

高集成：系統級封裝SiP能將數字和非數字功能、硅和非硅材料、CMOS和非CMOS電路以及光電、MEMS、生物芯片等器件集成在一個封裝內，在不單純依賴半導體工藝縮小的情況下，提高集成度，以實現終端電子產品的輕薄短小、低功耗等功能，同時降低廠商成本。

先進封裝技術不僅可以增加功能、提升產品價值，還有效降低成本，成為延續摩爾定律的關鍵。作為集成電路產業鏈不可缺少的一部分，半導體封測得益于對更高集成度的需求，隨著5G應用、AI、IoT等新興領域的驅動，市場規?？焖贁U大。

我國封測行業整體仍然有望保持高增長，仍然是一個處于不斷增長中的增量市場。而且在5G、消費電子、物聯網、人工智能和高性能計算等更高集成度的廣泛需求下，先進封裝是增量主要來源，先進封裝市場增速預計將高于傳統封裝。

為進一步提升集成電路系統性能、降低成本依賴、提升功能密度，SiP（系統級封裝）以及 Chiplet 等設計的進步和發展，大大拓展了摩爾定律的演進方式。而Tensun騰盛近年來在SiP先進封裝領域深耕產品設備的開發和制程應用，堅持做好精密點膠和精密切割（劃片機）兩大產品線，與行業大咖們共同商討先進封測領域的技術創新、市場動態和應用案例，騰盛人也將繼承十六年來的永不止步的創新精神，在先進封裝領域持續探索。